Verschil tussen NPN en PNP Verschil tussen
Bipolaire junctie-transistoren, of eenvoudiger BJT's, zijn elektronische halfgeleiderelementen met 3 aansluitingen. Ze zijn in principe gemaakt van gedoteerde materialen en worden vaak gebruikt in schakel- of amplificatietoepassingen.
In essentie is er een paar PN-junctiedioden in elke bipolaire transistor. Het paar wordt samengevoegd, wat een sandwich vormt die een soort halfgeleider tussen dezelfde twee typen plaatst. Daarom kunnen er slechts twee soorten Bipolar Sandwich zijn, en dit zijn de PNP en NPN.
BJT's zijn huidige regulators. In principe wordt de hoeveelheid van de passerende hoofdstroom geregeld door deze toe te staan of te beperken, die wordt afgehandeld door en in overeenstemming met een kleinere stroom van de basis. De kleinere stroom wordt de 'regelstroom' genoemd, wat de 'basis' is. De gecontroleerde stroom (hoofd) is van de 'verzamelaar' naar de 'zender', of omgekeerd. Het hangt praktisch af van het type BJT, dat ofwel PNP of NPN is.
Tegenwoordig zijn bipolaire NPN-transistoren de meest gebruikte van de twee typen. De belangrijkste reden hiervoor is de karakteristieke hogere elektronenmobiliteit van de NPN in vergelijking met de gatmobiliteit in halfgeleiders. Daarom staat het grotere hoeveelheden stroom toe en werkt het sneller. Bovendien is NPN eenvoudiger te bouwen op basis van silicium.
Met de NPN-transistor, als de emitter een lagere spanning heeft dan die in de basis, stroomt de stroom van de collector naar de emitter. Er is een kleine hoeveelheid stroom die ook van de basis naar de emitter zal stromen. De stroom door de transistor (van collector naar emitter) wordt geregeld door de spanning aan de basis.
De 'basis', of de middelste laag van de NPN-transistor, is een P-halfgeleider, die lichtjes is gedoteerd. Het is ingeklemd tussen twee N-lagen, waarbij de N-type collector in de transistor zwaar is gedoteerd. Met de PNP is de transistor 'aan' wanneer de basis laag wordt getrokken ten opzichte van de emitter, of in andere termen, de kleine stroom die de basis verlaat in de common-emitter-modus wordt versterkt in de collectoruitgang.
Samenvatting:
1. NPN heeft een hogere elektronenmobiliteit dan PNP. Daarom zijn NPN bipolaire transistoren vaak meer favoriet dan PNP-transistors.
2. NPN is eenvoudiger te maken op basis van silicium dan PNP.
3. Het belangrijkste verschil tussen NPN en PNP is de basis. De ene is precies het tegenovergestelde van de andere.
4. Bij de NPN is een P-dope halfgeleider de basis, terwijl bij de PNP de 'basis' een N-dope halfgeleider is.
