Verschil tussen IGBT en MOSFET

IGBT versus MOSFET

MOSFET (Halogeenfactor Transistor Metaal Oxide Semiconductor) en IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) zijn twee typen transistors, en beide behoren tot de poort aangedreven categorie. Beide apparaten hebben vergelijkbare kijkstructuren met verschillende soorten halfgeleiderlagen.

Metaaloxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

MOSFET is een type Field Effect Transistor (FET), die is gemaakt van drie terminals, bekend als 'Gate', 'Source' en 'Drain'. Hier wordt de stroomstroom geregeld door de poortspanning. Daarom zijn MOSFET's spanning gestuurde apparaten.

MOSFET's zijn verkrijgbaar in vier verschillende typen, zoals n-kanaal of p-kanaal, ofwel in uitputting of verbeteringsmodus. Afvoer en bron zijn gemaakt van n type halfgeleider voor n-kanaal MOSFET's, en ook voor p-kanaal apparaten. Poort is gemaakt van metaal, en gescheiden van bron en afvoer met behulp van een metaaloxide. Deze isolatie zorgt voor een laag energieverbruik, en het is een voordeel in MOSFET. Daarom wordt MOSFET gebruikt in digitale CMOS logica, waar p- en n-kanaal MOSFET's worden gebruikt als bouwstenen om het stroomverbruik te minimaliseren.

Hoewel het concept MOSFET heel vroeg werd voorgesteld (in 1925), werd het praktisch geïmplementeerd in 1959 bij Bell Labs.

Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

IGBT is een halfgeleiderapparaat met drie terminals, bekend als 'Emitter', 'Collector' en 'Gate'. Het is een type transistor, die een hogere hoeveelheid energie kan hanteer en heeft een hogere schakel snelheid waardoor het hoog efficiënt is. IGBT werd in de jaren 1980 geïntroduceerd op de markt.

IGBT heeft de gecombineerde eigenschappen van zowel MOSFET als bipolaire verbindingstransistor (BJT). Het is poort aangedreven als MOSFET, en heeft huidige spanningskarakteristieken zoals BJTs. Daarom heeft het de voordelen van zowel high current handling capability als het gemak van controle. IGBT-modules (bestaat uit een aantal apparaten) kunnen kilowattens van stroom hanteren.

Verschil tussen IGBT en MOSFET 1. Hoewel zowel IGBT als MOSFET spanninggestuurde apparaten zijn, heeft IGBT een BJT zoals geleidingseigenschappen. 2. Terminals van IGBT staan ​​bekend als emitter, verzamelaar en poort, terwijl MOSFET van poort, bron en afvoer wordt gemaakt. 3. IGBT's zijn beter in stroombeheersing dan MOSFETS 4. IGBT heeft PN-aansluitingen, en MOSFET's hebben ze niet. 5. IGBT heeft een lagere vooruitspanning daling vergeleken met MOSFET 6. MOSFET heeft een lange geschiedenis vergeleken met IGBT