Verschil tussen BJT en IGBT

BJT vs IGBT

BJT (Bipolaire Junction Transistor) en IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor). Beide apparaten hebben PN-aansluitingen en verschillen in apparaatstructuur. Hoewel beide transistoren zijn, hebben ze significante verschillen in kenmerken.

BJT (Bipolaire Junction Transistor)

BJT is een type transistor die bestaat uit twee PN-aansluitingen (een verbinding gemaakt door een p-halfgeleider en n-type halfgeleider te verbinden). Deze twee kruispunten worden gevormd door het aansluiten van drie halfgeleiderstukken in de volgorde van P-N-P of N-P-N. Daarom zijn er twee soorten BJT's, bekend als PNP en NPN, beschikbaar.

Drie elektroden zijn verbonden met deze drie halfgeleideronderdelen en de middelste leiding wordt 'basis' genoemd. Andere twee kruispunten zijn 'emitter' en 'collector'.

In BJT wordt de stroomstroomgever (I _c ) stroom geregeld door de kleine basis emitterstroom (I _B ) en deze eigenschap wordt uitgebuit versterkers of schakelaars ontwerpen. Daarom kan het worden beschouwd als een stroomgedreven apparaat. BJT wordt meestal gebruikt in versterkerschakelingen.

IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor)

IGBT is een halfgeleiderapparaat met drie terminals, bekend als 'Emitter', 'Collector' en 'Gate'. Het is een type transistor, die een hogere hoeveelheid energie kan aanpakken en een hogere schakelnelheid heeft waardoor het zeer efficiënt is. IGBT is in de jaren 1980 geïntroduceerd op de markt.

IGBT heeft de gecombineerde eigenschappen van zowel MOSFET als bipolaire verbindingstransistor (BJT). Het is poort aangedreven als MOSFET en heeft huidige spanningskarakteristieken zoals BJTs. Daarom heeft het de voordelen van zowel high current handling capability als het gemak van controle. IGBT modules (bestaat uit een aantal apparaten) hanteren kilowattens van stroom.

Verschil tussen BJT en IGBT 1. BJT is een stroomgedreven apparaat, terwijl de IGBT wordt aangedreven door de poortspanning 2. Terminals van IGBT staan ​​bekend als emitter, collector en poort, terwijl BJT is gemaakt van emitter, collector en basis. 3. IGBT's zijn beter in stroomafhandeling dan BJT 4. IGBT kan beschouwd worden als een combinatie van BJT en een FET (Field Effect Transistor) 5. IGBT heeft een complexe apparaatstructuur vergeleken met BJT 6. BJT heeft een lange geschiedenis vergeleken met IGBT