Verschil tussen BJT en FET

BJT versus FET

Zowel BJT (Bipolar Junction Transistor) en FET (Field Effect Transistor) zijn twee typen transistors. Transistor is een elektronisch halfgeleiderapparaat dat een grootschalig veranderend elektrisch uitgangssignaal geeft voor kleine veranderingen in kleine ingangssignalen. Vanwege deze kwaliteit kan het toestel als een versterker of een schakelaar worden gebruikt. Transistor werd uitgebracht in de jaren 1950 en kan als een van de belangrijkste uitvindingen in de 20ste eeuw beschouwd gezien zijn bijdrage aan de ontwikkeling van IT. Verschillende soorten architecturen voor transistor zijn getest.

B1 => Bipolaire verbindingstransistor (BJT)

BJT bestaat uit twee PN-verbindingen (een aansluiting gemaakt door een p-halfgeleider en n-halfgeleider te verbinden). Deze twee kruispunten worden gevormd door het aansluiten van drie halfgeleiderstukken in de volgorde van P-N-P of N-P-N. Er zijn twee soorten BJT's bekend als PNP en NPN beschikbaar.

Drie elektroden zijn verbonden met deze drie halfgeleideronderdelen en de middelste leiding wordt 'basis' genoemd. Andere twee kruispunten zijn 'emitter' en 'collector'.

In BJT wordt de grote collector emitter (Ic) stroom gecontroleerd door de kleine basis emitter stroom (IB) en deze eigenschap wordt geëxploiteerd naar ontwerp versterkers of switches. Daarvoor kan het worden beschouwd als een stroomgedreven apparaat. BJT wordt meestal gebruikt in versterkerschakelingen.

Field Effect Transistor (FET)

FET is gemaakt van drie terminals, bekend als 'Gate', 'Source' en 'Drain'. Hier wordt de afvoerstroom geregeld door de poortspanning. Daarom zijn FET's spannings gestuurde apparaten.

Afhankelijk van het type halfgeleider gebruikt voor bron en afvoer (in FET zijn beide van hetzelfde halfgeleidertype), kan een FET een N-kanaal of P-kanaalapparaat zijn. Bron om stroomstroom af te voeren wordt geregeld door de kanaalbreedte aan te passen door een passende spanning op de poort toe te passen. Er zijn ook twee manieren om de kanaalbreedte bekend te maken die bekend staat als uitputting en verbetering. Daarom zijn FET's beschikbaar in vier verschillende typen, zoals N-kanaal of P-kanaal, met ofwel in de uitputting of verbeteringsmodus.

Er zijn veel soorten FET's zoals MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), HEMT (High Electron Mobility Transistor) en IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor). CNTFET (Carbon Nanotube FET), die werd voortgekomen door de ontwikkeling van nanotechnologie, is het laatste lid van de FET-familie.

Verschil tussen BJT en FET

1. BJT is in principe een actueel aangedreven apparaat, hoewel FET wordt beschouwd als een voltage gestuurd apparaat. 2. Terminals van BJT staan ​​bekend als emitter, collector en basis, terwijl FET van poort, bron en afvoer wordt gemaakt. 3. In de meeste nieuwe toepassingen worden FET's gebruikt dan BJT's. 4. BJT gebruikt zowel elektronen als gaten voor geleiding, terwijl FET slechts één van hen gebruikt en daardoor unipolaire transistors wordt genoemd. 5. FET's zijn krachtig efficiënt dan BJT's. Aanbevolen Verschil tussen zijn en hem Verschil tussen de geschiedenis en het verleden Verschil tussen geschiedenis en cultuur